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AC-DC电源管理芯片

反激控制器

 

 IC型号   封装规格   工作模式   待机功耗   反馈模式   最高频率   功率管   供电方式   供电范围   Peak Load   外置OTP   特性   包装   database 
 CN   EN 
 IP2006   SOT23-6   CCM+QR/QR   < 75mW   SSR   62.5/71/83/100/125/167/250/333 kHz 

 外置MOS/

外置GaN 

 辅助绕组   6.5~65 V   -   -   -   3K/盘  - -
 IP2006H   SOT23-6   CCM+QR/QR   < 75mW   SSR   62.5/71/83/100/125/167/250/333 kHz 

 外置MOS/

外置GaN 

 辅助绕组   6.5~65 V   -   -   -   3K/盘  - -
 IP2006HT   SOT23-6   CCM+QR/QR   < 75mW   SSR   72/95/138/184 kHz 

 外置MOS/

外置GaN 

 辅助绕组   6.5~75 V   -   -   锁谷/GaN直驱   3K/盘  - -
 IP2007   SOP8L   CCM+QR/QR   < 75mW   SSR   72/95/138/184 kHz 

 外置MOS/

外置GaN 

 辅助绕组   6.5~75 V   -   √   锁谷/GaN直驱   4K/盘  - -
 IP2016_S8   SOP8L   CCM+QR/QR   < 5mW   SSR   72/95/138/184 kHz 

 外置MOS/

外置GaN 

 辅助绕组   6.5~75 V   -   - 

锁谷/GaN直驱/

X电容泄放/零功耗

 4K/盘  - -
 IP2073_13H   EHSOP5   CCM+DCM   < 75mW   SSR   65/100 kHz   内置MOS   自供电   6.5~21.5 V   -   -   无需辅助绕组   1.5K/盘  - -
 IP2073_27S   SOP8L   CCM+DCM   < 75mW   SSR   65/85 kHz   内置coolMOS   自供电   6.5~21.5 V   -   -   无需辅助绕组   4K/盘  - -
 IP2075_38D   DFN18(6*8)   CCM+QR/QR   < 5mW   SSR   72/95/138/184 kHz   内置210mohm GaN   辅助绕组   6.5~75 V   -   √ 

锁谷/内置GaN/

X电容泄放/零功耗

 3K/盘  - -

 

同步整流

 

 IC型号   封装规格   工作模式   待机功耗   BV   Rds(on)   驱动电压   输出功率   接法   包装   database 
 CN   EN 
 IP2002   SOT23-6   CCM/DCM   < 1.5mW   65 V   -   5~9 V   3.3~12V   高边/低边   3K/盘  - -
 IP2002TH   SOP8L   CCM/DCM   < 1.5mW   65 V   12mΩ   5~9 V   3.3~12V;3A   高边/低边   4K/盘  - -
 IP2002TS   SOP8L   CCM/DCM   < 1.5mW   65 V   8mΩ   5~9 V   3.3~12V;3A   高边/低边   4K/盘  - -
 IP2008   SOT23-6   CCM/DCM   < 1mW   150 V   -   5~8 V   3.3~28V   高边/低边   3K/盘  - -
 IP2008L   SOT23-6   CCM/DCM   < 1mW   150 V   -   5~9.3 V   3.3~28V   低边   3K/盘  - -
 IP2012TS   SOP8L   CCM/DCM   < 1.5mW   65 V   8mΩ   5~9 V   3.3~12V;3A   高边/低边   4K/盘  - -
 IP2028   SOT23-6   CCM/DCM/ZVS   < 1mW   120 V   -   5~9 V   3.3~21V   高边/低边   3K/盘  - -
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